内容摘要本期内容深度解读伯恩斯坦（Bernstein）于2026年2月4日发布的全球存储芯片市场最新月度跟踪报告。报告揭示了一个令市场震惊的现象：存储芯片价格正在经历“抛物线式”的暴力拉升。2026年1月，DRAM（动态随机存取存储器）合约价格环比暴涨超过50%，预示着第一季度合约价将环比飙升86%；NAND（闪存）价格同样强劲，预计一季度涨幅达74%。价格狂飙：DRAM一季度预涨86%，2026投资全景解读

内容摘要

本期内容深度解读伯恩斯坦（Bernstein）于2026年2月4日发布的全球存储芯片市场最新月度跟踪报告。报告揭示了一个令市场震惊的现象：存储芯片价格正在经历“抛物线式”的暴力拉升。2026年1月，DRAM（动态随机存取存储器）合约价格环比暴涨超过50%，预示着第一季度合约价将环比飙升86%；NAND（闪存）价格同样强劲，预计一季度涨幅达74%。