第七代DRAM标准之争白热化！架构大战开打：三星GAAFET对决SK海力士4F

半导体行业内关于第七代DRAM存储芯片标准的激烈竞争，聚焦于三星与SK海力士两大巨头之间的技术路线之争。为了突破传统内存的性能瓶颈，三星正致力于推广GAAFET（全环绕栅极晶体管）工艺，通过借鉴闪存堆叠经验来提升电流控制力；而SK海力士则主打4F²架构，通过垂直堆叠晶体管将芯片面积大幅缩减约30%。这两项革新方案均旨在实现存储器更高密度、高速度和低功耗的目标，预示着未来两三年内内存市场将迎来一场深刻的架构变革。