伯恩斯坦：2026年二季度内存将迎来又一轮大幅涨价

伯恩斯坦 2026 年 5 月发布的全球内存追踪报告显示，2026 年二季度内存市场将迎来新一轮大幅涨价，幅度远超市场预期。其中常规 DRAM 合约价环比暴涨 57%，NAND 闪存合约价环比大涨 65%-70%。

4 月现货价格呈现分化，服务器 DDR5 模组、PC DDR4 芯片现货价小幅回落，而 PC DDR5、服务器 DDR4 现货价仍上涨，主要因模组厂获利了结、渠道去库存导致。合约价全线大涨，PC 端 DRAM 涨 40%、服务器端涨 48%、移动端涨近 80%；NAND 晶圆涨 22%-25%，手机端 eMMC/UFS 更是暴涨 75%-80%。

需求端呈现明显分化，AI 驱动服务器 DRAM 与企业级 SSD 需求持续火爆，供应依旧紧缺；而 PC、手机等消费端需求开始走弱，高价抑制终端采购，预计三季度涨价幅度将显著收窄，DRAM 涨幅降至 10%-20%，NAND 涨价动能也大幅放缓。

行业焦点转向长期供货协议（LTA），美国云服务商的谈判已接近尾声，后续将拓展至 PC 与企业客户，有望平滑价格波动。报告预计内存价格强势将延续至 2027 年，2027 年下半年随新增产能投产逐步回归正常。

评级方面，三星、SK 海力士、美光、SanDisk 均获跑赢评级，仅铠侠为逊于评级，中国 NAND 产能扩张成为行业主要下行风险。